Samsung и SK Hynix увеличивают инвестиции в разработку HBM

Samsung Electronics и SK Hynix ускоряют развитие технологий HBM и следующего поколения памяти. Во втором квартале Samsung Electronics вложила рекордные 160 триллионов вон (примерно 11,6 миллиарда долларов США) в исследования и разработки, планируя расширить ассортимент высококачественной памяти, включая HBM4, HBM4E и DDR5. SK Hynix разрабатывает технологии следующего поколения, такие как HBM5, смешанное соединение и iHBM, ожидая, что объем капитальных затрат в этом году достигнет 400 триллионов вон (примерно 32,6 миллиарда долларов США).

Этот контент предоставляется исключительно в общих информационных целях и не является финансовым, инвестиционным, юридическим или налоговым советом. Любые мероприятия, вознаграждения, онлайн-акции или связанная с ними информация, упомянутые в настоящем документе, не должны рассматриваться как рекомендация, приглашение к покупке, продаже, торговле или иной сделке с какими-либо криптоактивами. Криптоактивы очень волатильны и могут привести к убыткам. Доступность услуг, продуктов WEEX и связанных с ними событий может варьироваться в зависимости от региона. Вы несете ответственность за обеспечение того, чтобы ваше участие соответствовало применимым местным законам и нормативным актам.