اولین ETF ذخیره سازی در بورس آمریکا، DRAM Memory ETF، شامل Longsys Technology

اولین ETF خالص ذخیره سازی در بورس آمریکا، DRAM Memory ETF، شامل Longsys Technology است. این ETF در تاریخ ۲ آوریل ۲۰۲۶ تأسیس شد و حجم آن ۲۴.۵۵ میلیارد دلار است. نرخ بازدهی آن به طور موقت به ۱۹۰٪ رسید و در حال حاضر نرخ بازدهی آن ۱۶۱.۵٪ است. مجموع وزن سامسونگ، میکرون و هاینیکس بیش از ۷۳٪ است و وزن Longsys Technology ۲.۵۲٪ است. پس از ورود Longsys Technology به بازار STAR، ارزش بازار آن همچنان بالای ۳۰,۰۰۰ میلیارد یوان است و به طور موقت از ۴۰,۰۰۰ میلیارد یوان عبور کرده است. این شرکت هفته آینده محدودیت نوسان قیمت را پایان می‌دهد و وارد مرحله معاملات عادی می‌شود.

این محتوا صرفاً برای اطلاع‌رسانی عمومی ارائه شده است و به‌منزله مشاوره مالی، سرمایه‌گذاری، حقوقی یا مالیاتی تلقی نمی‌شود. هرگونه رویداد، جایزه، کمپین آنلاین یا اطلاعات مرتبط که در اینجا ذکر شده است، نباید به‌عنوان توصیه، ترغیب یا دعوت به خرید، فروش، معامله یا هرگونه دادوستد دیگر دارایی‌های رمزارزی تلقی شود. دارایی‌های رمزارزی از نوسان بالایی برخوردار هستند و ممکن است منجر به زیان شوند. دسترسی به خدمات، محصولات و رویدادهای مرتبط با WEEX ممکن است بسته به منطقه جغرافیایی متفاوت باشد. اطمینان از اینکه استفاده شما از این خدمات با قوانین و مقررات محلی مطابقت دارد، بر عهده خود شماست.